大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi自行惭秽的意思是什么意思，自行惭秽意思是什么)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，自行惭秽的意思是什么意思，自行惭秽意思是什么网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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